ساخت الکترونیک‌های مقاوم در برابر اتمسفر جهنمی سیاره ناهید
فلاح
ایران اکازیون:با وجود اینکه به اینکه سفر رفت و برگشت به سیاره ناهید درحدود ۳۰ تا ۵۰ درصد کوتاه‌تر از سفری مشابه به مریخ خواهد بود، اما تمرکز دانشمندان روی سفر به مریخ است زیرا شرایط سطح سیاره ناهید بسیار خشن‌تر و مخرب‌تر از سطح مریخ است.
به گزارش بیگ بنگ به نقل از همشهری، قدرتمند‌ترین فضاپیمایی که توانسته تاکنون خود را به سطح سیاره ناهید برساند، تنها دو تا هفت ساعت در نزدیکی سیاره سالم بوده و پس از آن تمامی مدارهای فضاپیما نابود شده‌است زیرا ناهید از اتمسفری به شدت داغ، فرساینده و سنگین برخوردار است،اما مدارهای الکترونیکی جدید ناسا ممکن است بتوانند در مقابل این جهنم مخرب دوام بیاورند.
مهندسان مرکز تحقیقات گلن ناسا در کلیولند قطعه الکترونیکی جدید ابداع کرده‌اند که می‌تواند ۱۰۰ برابر طولانی‌تر از مدارهای پیشین در برابر شرایط دشوار اتمسفر ناهید دوام بیاورد و دمای بیش از ۷۳۰ کلوین را برای صدها ساعت متوالی تحمل کند. بررسی دقیق سیاره ناهید به دلیل دمای سطحی بسیار بالای آن در حدود ۷۳۵ کلوین(۴۶۲ درجه سلسیوس) و فشار جوی ۹۰ برابر زمین بسیار دشوار است. طولانی‌ترین زمانی که یک فضاپیما توانسته در سطح این سیاره دوام بیاورد، کاوشگر ونرا ۱۳ روسیه در سال ۱۹۸۲ بود که پس از ۱۱۰ دقیقه نابود شد و از سال ۱۹۸۴ تاکنون هیچ فرودگری در ناهید فرود نیامده اما تراشه جدید ناسا می‌تواند این روند را متحول سازد.
فرودگرهای قبلی، دستگاههای الکترونیکی را درون مخازن مقاوم به حرارت و فشار قرار می‌دادند که وزن زیادی را به فضاپیما اضافه می‌کرد. محققان ناسا به رهبری فیل نودک، مهندس الکترونیک این سازمان اکنون مدارهای یکپارچه نیمه رسانای کاربید سیلیکون را طراحی کرده‌اند. این مدارها زمانی که در تجهیزات “محیط‌های سخت” گلن که شرایط سیاره ناهید را شبیه‌سازی می‌کند، قرار داده شدند، توانستند تا ۵۲۱ ساعت دوام بیاورند که به گفته ناسا، ۱۰۰ برابر طولانی‌تر از همه ماموریت‌های سابق در این سیاره است.
به گفته گری هانتر، محقق ارشد این پروژه این کار نه تنها امکان اکتشافات علمی جدید در سطح ناهید و سایر اکتشافات سیاره‌ای را فراهم می‌کند، بلکه تاثیر چشمگیری در طیف گسترده‌ای از کاربردهای مرتبط زمینی مانند موتورهای هواپیماها به منظور ارتقای عملیات‌ها و کاهش انتشار گازهای گلخانه‌ای خواهد داشت. جزئیات بیشتر این پژوهش در نشریۀ AIP Advances منتشر شده است.
